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绿能芯创获得碳化硅沟槽 MOSFET 器材结构及加工办法专利

来源:雷电竞下载APP官网    发布时间:2025-04-19 08:59:36 人气:1 次

  金融界 2025 年 3 月 11 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,北京绿能芯创电子科技有限公司获得一项名为“碳化硅沟槽 MOSFET 器材结构及加工办法”的专利,授权公告号 CN 114005869 B,请求日期为 2021 年 11 月。

  天眼查资料显现,北京绿能芯创电子科技有限公司,成立于2017年,坐落北京市,是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册本钱7470.6137万人民币,实缴本钱72.0319万人民币。经过天眼查大数据分析,北京绿能芯创电子科技有限公司共对外出资了5家企业,参加招投标项目25次,产业线条,此外企业还具有行政许可3个。

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